简介：以沈阳市自来水总公司五水厂和尹家2,3井群为试点，通过对取水井工艺及其设备运行情况的调查和出水量，出口压力及导水管线流量的测试，提出取水井的最佳配置方案，使水泵合理提升扬程，机泵高效运行，从而达到井群取水系统节能降耗的目的。

简介：本文将从数字化网络的造纸机传动，可控张力和转矩的复卷机传动，专用收卷的变频传动三个不同的方面来阐述纸机传动的控制方式和发展趋势。

简介：柔性线路板可分为单层，双层，多层（可达6层），多层中空（AirGap），带异方性导电胶（免除ACF），高密度微线路COF（ChipOnFilm）。其中单层更可分为：简单单层，单层双面接触（假双面），窗口型（裸空型），反折型及露空手指型。因应不同需要及成本考虑，采用不同结构设计。

简介：晶闸管投切电容器（TSc）由于控制简单，成本低廉，在实际中得到了广泛的应用。本文介绍了基于dsPIC30F6014的数据采集系统和S3C44BOX的主控系统构成的无功补偿控制器的工作原理，并提出了采用DMA的方式实现上位机和下位机的通讯，提高了CPU的利用率。结果表明，本无功补偿控制器具有良好的补偿效果。

简介：由于大型水泵的普遍应用，传统的控制方式已不能满足工农业生产的需要，取而代之的是采用电力电子技术的软起动方式。它可减小起动电流对电网和设备的冲击和避免水锤效应，对设备起到一定的保护作用。

简介：晶闸管耐压较陈，中高压领域所用晶闸管阀（TCR、TSC等）均需多支晶闸管串连才能满足耐压需要。本文分析了传统的串连晶闸管的触发特点，并提出了一种新颖的晶闸管触发方式光电＋电磁触发。在山东泰开电力电子有限公司生产的高压TSC晶闸管阀上进行了试验验证。试验结果证明，采用光电＋电磁被发方式，晶阐管触发一致性好，触发电流大，抗电磁干扰能力强，具有较好的推广价值。

简介：城镇二次加压泵站在同样的水泵设备配置情况下，采用不同种的工艺运行方式其能耗有着很大的差别。文中通过对泵站4种常用运行方式的电耗分析，探讨了城镇二次加压泵最佳的工艺运行方式及电耗的计算方法。

简介：本文介绍变频器的几种控制方式以及在工程应用中如何根据不同的控制对象，不同的工艺要求和不同性质负载来选择变频器。

简介：晶闸管电子板的性能直接关系到晶闸管阀的工作性能，从而直接影响到整套静止无功补偿装置的可靠性。本文将从晶闸管电子板电源的取能方式入手，结合不同的SVC装置运行特点，详细介绍电压取能和CT取能的特点以及二者的应用场合，并给出相应的试验结论。

简介：针对嵌入式开发过程中调试需要频繁下载的问题，提出了一种将内核移植到SDRAM中，然后采用根文件系统NFS方式启动的方法。详细介绍了基于三星公司S3C2410A处器的SBC2410目标板在嵌入式Linux系统中的裁剪与移植，实现了嵌入式Linux系统根文件系统NFS启动方式的搭建。从而极大的提高了开发效率。

简介：光纤技术的局限性不在于其高压绝缘性能，而是其抗振动及耐温性能。射频（RF）无线线路能够满足这些性能。本文将研究该技术在触发1.8kV高压1GBT中的应用。

简介：简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性；介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进；最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。

简介：最近兴起了分布式发电技术，诸如光伏发电、燃料电池和微型叶轮机。然而，这类电源需要接口来控制管理与电例的连接。这些连接装置的核心是电力电子装置，例如逆变器，因为电力电子装鼹本身县有多功能性，不仅可以提供基本的连接功能，还可以提供多种多样的实用功能。本文介绍标准化的逆变器馈电方式和在常规电力系统中应用同步发电机的下垂控制方法对基于逆变器的分布式发电系统进行频率调节和功率平衡的可能性。

简介：为了集成电路的低成本和高性能设计，文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺，给出了微波无线通讯系统的集成方案，从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题，同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。

简介：PCB的发展，当双面板无法容纳下所有线路时，势必走向多层板，而将两双面板或多个双面板利用介质接合威多层板的制程，即称为压合。压合制程影响质量最重要的3步骤：叠板、热压、冷压。下文主要讨论的是PCB多层压合的工艺参数及控制的一些方法，经由理论来设计各制程的参数，并由材料性质着手，配合制程参数：温度、压力、真空来作一探讨。

简介：中大功率中压变频调速技术发展很快，而且市场潜力很大。每年以12—20％速度增长，2003年大中功率中压变频器增长高达40％，总值达50亿元，总容量达600多万kW，其功率分布情况为500-5000kW。

简介：研究了掺CoO、Nb2O5、La2O3的SnO2基压敏陶瓷，用阻抗相角图表明了阻抗数据，结果表明，在所测的压敏陶瓷中，其晶粒边界处有不同的缺陷。主要的载流子是O′和O″。LaSn′的作用是促进O′和O″缺陷的形成，它对在晶粒边界区接触面处势垒的形成起了决定性作用。

简介：

简介：介绍全压接结构器件采用负斜角造型的方法，并对使用葫芦串方法腐蚀台面、进口双组份硅橡胶浇注保护台面等关键技术进行分析和讨论。

简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。