简介:本文在介绍Si功率半导体器件的发展历程及限制的基础上,结合具体器件介绍SiC功率半导体器件的优势,最后介绍SiC功率半导体器件的发展现状及前景。
简介:国家能源局网站消息,国家能源局副局长王禹民近日表示,党中央、国务院高度重视电力体制改革,《关于进一步深化电力体制改革的若干意见》即将出台。
简介:美国高通公司宣布,与全球领先的芯片代工公司之一,中芯国际集成电路制造有限公司签署战略协议。中芯国际将采用专门的BiCMOS处理技术在其天津工厂为高通公司提供集成电路生产服务。这一合作将综合中芯国际晶片制造能力以及转包能力和高通公司在3G无线产业的领导地位,重点将放在电源管理芯片方面。
简介:从发改委网站获悉,发展改革委下一步将结合沟通对接情况,加强投融资体制改革的顶层设计及系统安排;建立完善重大项目政银企社合作对接机制,帮项目找资金、帮资金找项目,促进重大项目得到金融更大投入、更好资金保障。
简介:发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时,它可以降低超过29%的反向恢复电荷,和降低24%的正向电压降。在1MHZ,集成单片FET做同步整流,其电路效率提高1.1%。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。
简介:中国国家发展和改革委员会近日召开2016年全国经济体制改革工作会议,安排2016年经济体制改革重点任务。会议强调,今年是"十三五"开局之年,也是推进结构性改革的攻坚之年,要一手抓具有重大牵引作用的改革新举措出台,一手抓已出台改革方案的落地,切实解决经济社会发展中的突出问题,使人民群众有更多获得感。
简介:AVX公司是全球著名的被动电子器件供应商,作为其子公司的天津安施国际贸易有限公司在上海PCIM2010中国电力电子展览会上精彩亮相。
SiC功率半导体器件的优势及发展前景
国家能源局:电力体制改革新政即将出台
高通与中芯国际签署半导体制造测试协议
发改委六个司领导赴14家金融机构对接投融资体制改革
集成肖特基二极管的沟槽功率MOSFET和DC-DC转换器的性能优势
2016年中国经济体制改革会召开 部署八大改革任务
以技术优势作后盾AVX欲圆“中国淘金梦”——访天津安施国际贸易有限公司崔爱国先生