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  • 简介:MCM封装是多芯片组件,它可以将裸芯片在z方向叠层,更加适合电子产品轻、薄、短、小的特点。介绍了MCM封装技术的3种分类——MCM-L、MCM—C及MCM—D。其中MCM—L成本低且制作技术成熟,但热传导率及热稳定性低。MCM—C热稳定性好且单层基板价位低,但难以制成多层结构。MCM-D为薄膜封装技术的应用,它也是目前电子封装行业极力研究、开发的技术之一。最后讨论了MCM封装技术在多芯片组件等方面的最新进

  • 标签: 封装 MCM—L MCM—C MCM—D
  • 简介:<正>稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比,半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多,因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著,从而有可能通过尺寸调

  • 标签: 半导体纳米晶 纳米发光材料 激光器件 玻尔半径 量子限域效应 量子点
  • 简介:为了增加在有机基板上倒装芯片安装的可靠性,在芯片安装后,通常都要进行下填充。下填充的目的是为了重新分配由于硅芯片和有机衬底间热膨胀系数失配产生的热应力。然而,仅仅依靠填充树脂毛细管流动的传统下填充工艺存在一些缺点。为了克服这些缺点,人们研究出了一些新的材料和开发出了一些新的工艺。

  • 标签: 倒装芯片 材料 可靠性 下填充
  • 简介:摘要在惯性导航中,陀螺仪是其中的核配件,因此我们可以将惯性当行技术的发展按照陀螺仪的研究和出现顺序将惯性导航技术分为四个发展时期从目前的情况来看,惯性技术的发展正处在第四代的发展时期,其根本目标是高精度、低成本、微型化、数字化、范围化以及高度可靠性的实现。

  • 标签: 惯性导航技术 新应用 发展趋势
  • 简介:欧盟RoHS大网可能正在撒向更广泛的领域。医疗设备以及监视与控制设备这两类产品在WEEE附录中分别被列为第八类(Category8)和第九类(Category9)产品,目前未被纳入RoHS管制范畴。但是,欧盟(EuropeanCommission)最近正在处理由英国ERATechnologyLtd.提交的一份研究报告,该报告分析了把上述两类产品纳入RoHS范畴的意义,因此欧盟委员会正在对现有的医疗设备RoHS豁免进行审核,预计此类设备将被纳入RoHS范畴。

  • 标签: ROHS 医疗设备 欧盟委员会 控制设备 产品 范畴
  • 简介:近年来,电子学领域出现了引人注目的重要进展。新的研究成果将会进一步促进电子信息技术的发展。介绍了电子学在这些领域,包括自旋电子学、聚合物电子学、BEC凝聚态激光和巨磁致电阻存储器(MRAM)的研究情况,并对其可能的应用前景进行了讨论。

  • 标签: 电子学新进展 自旋电子学 聚合物电子学 BEC凝聚态激光 MRAM磁存储器
  • 简介:摘要肥胖谈论是一种关于身体外貌交流的社会现象,特别是指女性之间关于外貌、体型、饮食习惯和锻炼通常以自我贬损的形式出现的谈话。达尔文的进化论,从众理论,自我客体化理论等都能对其做一定的解释,具有历史背景和理论基础。在目前的国内外相关研究中,质性研究和量化研究都有很多的成果,对肥胖谈论概念的界定、范围的规范、可能的诱发因素,参与肥胖谈论的各种范式研究,肥胖谈论对身体意向、饮食失调、情绪等带来的消极影响都有一定的成果。元分析和跨文化研究也在进行中,未来的研究应增加对肥胖谈论的纵向研究、继续深入跨文化研究、规范更多的实验范式,多讨论肥胖谈论的积极作用。

  • 标签: 肥胖谈论
  • 简介:<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们

  • 标签: GAN 器件研究 电气公司 德岛大学 应用物理学 快速热退火
  • 简介:薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件,对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史,描述了薄膜晶体管的工作原理,分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进,并展望了薄膜晶体管的应用。

  • 标签: 薄膜晶体管 液晶显示 ZNO薄膜
  • 简介:随着半导体存储器件的小型化、微型化,传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大,对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近,基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件,以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展,并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。

  • 标签: 存储 硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅 氮化硅 非易失性 势阱 纳米晶
  • 简介:在“宽带无线移动新技术标准研讨会”上,信息产业部电信研究院标准所无线室主任万屹向与会者介绍了国际上在IMT-Advanced领域取得的最新进。ITU推动3G未来发展及超3G课题迄今已经有8年多。1999年6月ITU-RTG8/1#17开始酝酿此课题;1999年11月TG8/1#18通过并提交到ITU-RSG8通过;2000年ITU-RRA2000批准确定Q.2298研究课题,并确定课题分为两部分,

  • 标签: ITU-R 4G 技术标准 无线移动 信息产业部 超3G
  • 简介:钠是地球上储量较丰富的元素之一,与锂的化学性能类似,因此也可能适用于锂离子电池体系。钠离子电池相比锂离子电池有诸多优势,如成本低,安全性好,随着研究的深入,钠离子电池将越来越具有成本效益,并有望在未来取代锂离子电池而被广泛应用。介绍了钠离子电池正极材料、负极材料的最新研究进展,分析了该电池未来的研究发展方向。

  • 标签: 钠离子电池 正极 负极 电解质
  • 简介:正性光敏聚酰亚胺(p—PSPI)是一类重要的集成电路(IC)封装材料,广泛用于IC器件的应力缓冲、表面钝化以及层间绝缘。与传统的负性光敏聚酰亚胺(n-PSPI)相比,p-PSPI无论在光刻精度还是环境友好性方面均表现出了更为优良的品质。文章综述了国内外p-PSPI电子封装材料的最新研究与应用进展状况。系统阐述了p-PSPI的光化学机理。对目前商业化p-PSPI产品的特性、在微电子以及光电子领域的应用和未来发展趋势进行了介绍。最后对国内高性能p-PSPI电子材料的研发工作提出了建议。

  • 标签: 正性光敏聚酰亚胺 光刻 微电子封装 光电器件
  • 简介:摘要拉曼光纤放大器是一种利用受激拉曼散射效应来实现光放大的光纤器件。拉曼增益谱比较宽,在普通光纤上单波长可实现约40nm范围内的有效增益,若采用多个泵浦,可以较容易实现宽带放大,并且直接可通过选择泵浦波长和强度调整其增益谱的方式。人们关注到其增益介质、宽增益带宽(最高可达120nm)、低噪声等特点,解决了衰减对光网络传输速率与距离的限制。本文介绍了拉曼光纤放大器的原理及特点,并根据光纤通信的现状现状和热点,分析了光纤拉曼放大器应用和最新进,论证了光纤拉曼放大器用于现代通信的重要性。

  • 标签: 光纤放大器 受激拉曼散射 光纤通信
  • 简介:分析了弹道中段雷达面临的识别环境及其识别特点,系统归纳了弹道中段雷达目标识别方法。根据所采用的特征不同,将弹道中段雷达目标识别方法分为基于结构特征的识别方法、基于弹道特征的识别方法和基于微运动特征的识别方法。详细阐述了三种识别方法的物理基础和研究进展,分析了它们各自的特点,最后展望了弹道中段雷达目标识别的发展趋势。

  • 标签: 导弹防御 雷达目标识别 结构特征 弹道特征 微运动特征
  • 简介:气敏传感器在现代工农业、信息技术、环境监测等领域都有重要应用。随着这几个领域的发展,人类对其综合性能要求越来越强,进而不断积极改良气敏传感器的性能。金属氧化物气敏元件是利用金属氧化物半导体的表面电阻遇到被测气体发生变化的原理制成的电子器件,其选择性和稳定性是研究气敏元件的两项重要指标。文章概述了金属氧化物元件气敏特性的研究进展,介绍了基体材料、掺杂材料、气敏材料的制备工艺、电极材料及结构等几个因素对元件气敏特性的主要影响,并对各种因素的作用机理进行了分析。最后展望了金属氧化物气敏元件的发展前景。

  • 标签: 金属氧化物 气敏元件 选择性 稳定性
  • 简介:摘要随着社会经济的不断发展,社会科学技术在经济领域的不断延伸。互联网技术的不断发展与延伸,更是加深了手机等移动通信设备的发展。随之移动通信网络范围的不断扩大,也推动了相关移动通信设备行业的发展。比如,在移动互联网设备领域应用广泛的近场通信技术。近场通信技术不仅可以应用在现代智能移动通信设备中,在一些现代人工智能领域都可以看到近场通信技术的身影。例如,大型的商场的门禁提示系统,公交站点的提示系统,以及现在人们都在运用的网络支付系统等领域,伴随近场通信技术应用领域的不断扩大,人们对近场通信技术安全问题的关注度也不断提高,本文就近场通信技术的安全问题研究进展及近场通信技术的发展趋势做了详细阐述,希望可以解决人们在使用过程中的疑虑。

  • 标签: 近场通信技术 安全研究进展 发展趋势