简介：探讨了多种氧气浓度的测量方法,基于微米尺寸悬膜电阻和热传导原理设计了一种新型的热导式氧气浓度测量方法。使用精细微机械加工的悬膜电阻,使得关键元件功耗和成本大为降低。经过仿真模拟和初步实验验证,热导式微型氧气传感器可精确检测较高的氧气浓度。

简介：Al掺杂ZnO（AZO）已被用来作为电子传输和空穴阻挡层倒有机太阳能电池（ioscs）。在本文中，偶氮结构，光学和结构特性和ioscs性能的影响作为一个功能的前驱体溶液浓度为0.1mol/L1mol/L时，我们证明了该装置用0.1mol/L的AZO缓冲层的前驱物浓度提高短路电流和填充因子ioscs同时。由此产生的设备显示，功率转换效率提高了35.6%，相对于1摩尔/升的设备，由于改善的表面形貌和透过率（300-400纳米）的偶氮缓冲层。

简介：采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。

简介：想必您在看我们10月刊的时候会发现这样一个很明显的问题，杂志的小版有一部分文字被遮住了！给您阅读所造成的不便，我们深感抱歉。同时，这也引起了我们的深深思考，所以我们做出了这一期的调查档案，对这一问题进行详细的分析。

简介：本文论述影响超声清洗设备清洗溶剂的挥发浓的因素，并提出降低清洗溶剂的挥发浓度一些方法。

简介：文章主要介绍氮化铝陶瓷基片生产的关键技术。重点研究了原材料控制、氮化铝基片配方、成型工艺、烧结技术、磨抛技术等五个方面的因素对氮化铝陶瓷基片生产的影响以及解决措施。通过研究发现添加3％左右的Y2O3作为烧结助剂，同时采用低温段缓慢升温的方法可以极大地提高氮化铝陶瓷基片的烧成质量。我们的研究，优化了生产工艺，提高了氮化铝陶瓷基片的质量和生产的成品率。

简介：V型槽侧面耦合是目前双包层光纤抽运光耦合的方法之一。本文提出了一种二透镜光学系统的耦合模型，并利用几何光学的ABCD矩阵分析和计算了透镜焦距与激光二极管阵列（LD—Arrays），透镜，双包层光纤（DCF）三者之间间距的关系，同时通过计算确定了V型槽所开的最佳角度。通过数值模拟计算发现透镜焦距的选取在很小范围内会引起两透镜间距的剧烈变化而且激光二极管与透镜的间距以及两透镜间的间距主要取决于靠近激光二极管那个透镜的焦距大小。本文的分析和计算对V型槽侧面抽运的光学耦合系统中透镜焦距的选取以及LD，透镜，DCF三者之间间距的设置的最优化提供了理论指导。

简介：

简介：一个主要的挑战在GAN型太阳能电池的设计是孔的缺乏与多量子威尔斯电子相比（多量子阱）。我们发现，GaN基量子阱光电器件具有五种不同Mg掺杂浓度的0时，5×1017cm-3，2×1018cm-3，4×1018cm-3和7×1018cm-3的GaN障碍可导致量子威尔斯不同的空穴浓度（量子阱）。然而，当Mg掺杂浓度超过1×1018cm-3，晶体质量下降，从而导致外量子效率的降低（EQE），短路电流和开路电压。作为一个结果，一个轻微的Mg掺杂5×1017cm-3的具有最高的转换效率浓度的样品。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻-PCAN系列器件。该系列器件采用氮化铝基板,功率等级为2W~6W,分别采用1206和2512小外形尺寸。今天发布的VishayDale薄膜电阻的氮化铝基板采用更大的背面端接,减少了上侧电阻层与最终用户的电路组装上焊点之间的热阻。这样,器件可处理

简介：当今社会氛围急功近利，文体明星光芒强劲，重财轻学，重文体轻科技轻人文，根源之一就是相当多的媒体过于聚焦文体界。然而，众所周知，国家强盛的根本在于科技，在于经济，在于人文，在于法治，在于社会成员整体知识程度的提高。一个只崇仰文体明星的民族是无法走向科技化知识化的。为此，引导青少年崇仰科技化知识化，实在具有相当重要的战略意义。既然媒体握有社会价值导向的手柄，如何将青少年的“追星”热情转向科技人文，也就应该成为媒体的一大自觉意识。

简介：　　1前言　　对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜.　　……

简介：本文要解答的问题是:1,二氧化碳雪清洗剂是怎样形成的?它与其它二氧化碳清洗剂有何不同?2,二氧化碳雪的清洗机理是怎样的?3,二氧化碳雪清洗剂有那些实际应用?4,使用二氧化碳雪清洗剂时应该注意那些问题?

简介：铜材料引线框架具有良好的导电导热性能，同时具备良好的机械性能和较低成本，但是由于框架和塑封料之间较差的粘结力在回流焊时容易造成封装体开裂。文章研究了铜框架氧化膜的特性，以及氧化膜对半导体封装的可靠性影响。根据试验，氧化膜会随着时间温度而增加，当氧气含量低于1％时增加缓慢。当氧化膜的厚度超过20nm时，塑封料与氧化铜之间的结合力就会显著下降，同时交界面的分层也会加剧。最后针对氧化膜厚度受控的产品做回流焊测试，确认是否有开裂，结果表明与结合力测试相符。氧化膜的厚度需要低于42．5nm，可以提高在reflow时的抗开裂性能。

简介：

简介：<正>今年7月16日,中科院副院长白春礼院士在国际华人科学家纳米科技研讨会上作题为《中国的纳米科技研究》的报告中指出,中国目前约有50年高校、20个中科院研究所和300多家企业开展纳米技术研究。中国纳米科研与国外几乎同步,个别方面有微弱优势,但在整体上与主要发达国家还有一定的差距。纳米时代的真正到来至少是20年以后

简介：<正>在2012年12月于美国举行的"IEDM2012"上,被采用的4篇论文中,有2篇是有关氧化物半导体的成果。可以看出Si(硅)行业对该材料备受关注。氧化物半导体具有可在低温下制备、性能高且透明的特点,正在以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化,夏普于2012年针对液晶面板开始量产

简介：气敏传感器在现代工农业、信息技术、环境监测等领域都有重要应用。随着这几个领域的发展，人类对其综合性能要求越来越强，进而不断积极改良气敏传感器的性能。金属氧化物气敏元件是利用金属氧化物半导体的表面电阻遇到被测气体发生变化的原理制成的电子器件，其选择性和稳定性是研究气敏元件的两项重要指标。文章概述了金属氧化物元件气敏特性的研究进展，介绍了基体材料、掺杂材料、气敏材料的制备工艺、电极材料及结构等几个因素对元件气敏特性的主要影响，并对各种因素的作用机理进行了分析。最后展望了金属氧化物气敏元件的发展前景。

简介：2006年10月18日，上海世伟洛克公司今日宣布已与JetalonSolutions公司签署了独家合作协议，商业推广CR-288浓度监测技术。