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Synthesis and Photoluminescence of GaN Nanowires with Nb Catalyst

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摘要大规模轧了nanowires被ammoniatingGa2O3电影成功地在在850点在Si(111)底层上扔的Nb层上综合。X光检查衍射(XRD)，扫描电子显微镜学(SEM)，field-emssion传播电子显微镜(FETEM)，Fourier转变了红外线的光谱(FTIR)被用来描绘结构、词法的性质同样综合轧了nanowires。结果表明nanowires是纯的六角形与在50nm和100nm之间的一段大约几微米和一条直径轧了wurtzite结构。最后，简短讨论了是镓氮化物nanowires的形成机制。

DOI pd5kr20ld7/608071

作者 ZHUANG Hui-zhao LI Bao-li XUE Cheng-shan ZHANG Shi-ying WANG De-xiao SHEN Jia-bing

机构地区不详

出处《半导体光子学与技术：英文版》 2008年1期

关键词纳米金属线 GAN 氨化处理光致发光

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2008年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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