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高压碳化硅芯片封装技术

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摘要摘要：本文从四个方面阐述了高压碳化硅芯片封装技术。

DOI n49yxqk3jy/5803711

作者韩冰冰王立伟

机构地区朝阳微电子科技股份有限公司辽宁朝阳 122000

出处《中国科技信息》 2021年19期

关键词碳化硅，封装

分类 [][]

出版日期 2022年03月28日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

中国科技信息

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碳化硅，封装

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