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0.4～0.25μm时代的腐蚀技术

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摘要　　1前言　　1994年开始大批量生产16MDRAM,作为研究开发阶段也是从以64MDRAM为代表的0.4μm器件过渡到以256MDRAM为代表的0.25μm器件.　　……

DOI mpj0x2pxjy/51027

作者

机构地区不详

出处《电子与封装》 2002年5期

关键词时代腐蚀腐蚀技术

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2002年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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电子与封装

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