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0.8μmSOI CMOS技术及电路研制

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摘要 SOICMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势。文中叙述采用SIMOX材料和0．8μmSOICMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路，并且给出了SOICMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系，试验电路通过了总剂量500Krad（Si）钴60γ射线辐照实验．

DOI ojzlgxlnd5/452194

作者孙锋;陶建中;肖志强;洪根深;薛忠杰;黄嵩人

机构地区不详

出处《电子与封装》 2006年8期

关键词 SOI CMOS SIMOX 总剂量效应

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2006年08月18日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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