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Design and Manufacture of GeSi/Si Superlattice Nanocrystalline Photodetector

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摘要根据麦克斯韦的理论，在GeSi/Si超点阵nanocrystalline层的光传播特征被分析了并且计算。计算结果证明当全部的厚度L是340nm时，单个模式lightwave能仅仅在周期的数字M15.5被播送。在传播的方向，当传播距离比500m大时，另外，lightwave紧张极大地被减少。基于GeSi/Si超点阵nanocrystalline光电探测器的上述参数，设计和制造被执行。

DOI 0dponlmkj2/415093

作者 LIU Shu-ping JIA Yue-hu

机构地区不详

出处《半导体光子学与技术：英文版》 2006年1期

关键词 GESI/SI 超晶格纳米晶体光电探测器光学性质

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2006年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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