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基于DICE结构的SRAM抗辐照加固设计

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摘要存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节。经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转，但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差。提出了分离位线的DICE结构，使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力。同时，对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法，解决锁存器发生SEU的问题。该设计对SRAM进行了多方位的加固，具有很强的抗单粒子翻转能力。

DOI lder3v7n43/1608489

作者沈婧;薛海卫

机构地区不详

出处《电子与封装》 2016年3期

关键词 SRAM加固 DICE 分离位线单粒子翻转

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2016年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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电子与封装

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