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应变PMOS沟道区应力分布与器件结构参数关系的研究
应变PMOS沟道区应力分布与器件结构参数关系的研究
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摘要
摘要:应变MOS器件是在以Si为基础的MOS器件制造过程中引入了应力。通过在氮化硅盖帽层上施加应力使器件的晶格常数差异可以产生压应变或张应变,从而提高载流子的迁移率。
DOI
rdx8ylvyjl/7820701
作者
蓝红润
机构地区
广东美的暖通设备有限公司 528311
出处
《中国科技信息》
2023年15期
关键词
应变
PMOS
应力
分类
[建筑科学][建筑技术科学]
出版日期
2023年11月24日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
中国科技信息
2023年15期
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