摘要
NMOS管I-V曲线在ESD（electrostaticdischarges）脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件，对1．0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现，在ESD触发时，增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强，VH减小、VB减小，晶格温度降低；器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性，但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效，而电场击穿引起的介质失效是次要的。
出版日期
2008年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
