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碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究

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摘要摘要为了提高碳化硅晶体生产质量和降低后续加工碳化硅衬底时的晶体开裂问题，本文对碳化硅晶体结构缺陷的形成和抑制进行了研究。研究表明碳化硅晶体扩径过程中的单晶比例会直接影响后续加工的晶体开裂率，其次，通过精细控制长晶工艺条件能够降低碳化硅晶体中的微管密度。

DOI 3j751evgd1/4435053

作者路亚娟

机构地区河北同光晶体有限公司，河北保定071000

出处《科技新时代》 2019年3期

关键词碳化硅扩径缺陷控制

分类 [医药卫生][]

出版日期 2019年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）