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Si表面离子束辅助沉积Ti纳米膜的研究

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摘要用离子束技术探讨了Si表面纳米Ti薄膜制备的可行性以及Ti薄膜组织结构与离子束工艺之间的关系。实验进行试样表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si(111)表面沉积的Ti薄膜结构的影响。采用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了Ti膜表面晶粒形貌，并用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子谱仪(AES)分析了Ti膜的结构和成分。由于残余气体的影响，Ti膜发生了不同程度的氧化，随温度升高和轰击离子强度增加氧化愈加明显。

DOI zdl11l5q4l/349716

作者白彬;陆雷;严东旭;张厚亮;梁红伟

机构地区不详

出处《中国工程物理研究院科技年报》 2003年1期

关键词硅表面离子束辅助沉积钛纳米薄膜晶粒结构

分类 [理学][物理]

出版日期 2003年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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