质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响

相关推荐

• 电子元器件的应用可靠性（9）
• 电子元器件的应用可靠性（5）
• 电子元器件的可靠性筛选研究
• 电子元器件的可靠性分析
• 电子元器件的可靠性分析

同分类资源 更多

• [物理] Monte Carlo study of the universal area distribution of clusters in the honeycomb O（n） loop model
• [物理] CATS：a Cellular Automation for Tracking in Silicon for the HERA—B Vertex Detector
• [物理] Relativistic Study of Spinless Particles for Generalized Hylleraas Potential with Position Dependent Mass
• [物理] The Design of the Microwave Exciter for Klystron
• [物理] 2 - 21 Progress Report on Lanzhou Penning Trap （LPT）

相关关键词