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ZnCuInS/ZnS量子点光致发光温度依赖性研究

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摘要 ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属“绿色”半导体纳米材料。制备出了直径为2.9nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点。从ZnCuInS/ZnS量子点的吸收及光致发光光谱中可以看到,量子点的斯托克斯位移为410meV。这样大的斯托克斯位移表明,ZnCuInS/ZnS量子点的复合机制与缺陷能级有关。研究并计算了在辐射及非辐射驰豫过程的（Huang-Rhys）因子及平均声子能量。结果表明在50~373K范围内,能量带隙的变化以及光致发光光谱的增宽是分别由光从能带边缘向缺陷能级跃迁及载流子声子耦合导致的。

DOI 34gey30oj9/1442007

作者毕克;王武满;张宇;张铁强

机构地区不详

出处《光学与光电技术》 2014年5期

关键词 ZnCuInS/ZnS量子点光致发光温度特性能量带隙

分类 [机械工程][光学工程]

出版日期 2014年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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光学与光电技术

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